Programme

Le dimanche 29 mai 2016, en fin après-midi et en soirée, sera dédié à accueil des participants.
Du lundi 30 mai au mercredi 1er juin 2016 midi verra le déroulement scientifique des journées.

Comme pour les éditions précédentes, les journées seront structurées autour de présentations orales invitées et de séances posters. Cette année, une table ronde et une démonstration seront organisées sur le thème des télécommunications THz.

Programme version pdf: Programme JNMO 2016

Programme JNMO 2016

Conférenciers invités

  • Romain BACHELET, INL, Ecully, "Oxydes fonctionnels intégrés sur Si pour des applications en énergie et photonique"
  • Guillaume BAFFOU, FRESNEL, Marseille, "Propriétés photothermiques de nanoparticules d'or. Applications récentes"
  • Jean-François CARPENTIER, STMicroelectronics, Grenoble, "Traitement du signal tout optique sur puce et entre puces"
  • Nicolas CAVASSILAS, IM2NP, Marseille, "Modélisation du transport électronique quantique pour le Nano-PV et les nano-transistors"
  • Pascal CHEVALIER, STMicroelectronics, Crolle, "Technologies BiCMOS SiGe pour applications millimétriques et térahertz"
  • Silvano DE FRANCESCHI, INAC CEA, Grenoble, "Silicon-based quantum nanoelectronics and prospects for quantum information" (Titre provisoire)
  • Bruno DAUDIN, INAC CEA, Grenoble, "Grandeur et limitations des LEDs visibles à base d'hétérostructures bidimensionnelles de nitrures d'éléments III: les nanofils peuvent-ils permettre d'aller plus loin?"
  • Guillaume DUCOURNAU, IEMN, Lille, "Intérêt de la photonique pour le développement des systèmes de communication sans fil en gamme THz"
  • Jean-Yves DUPUY, III-V LAB, Palaiseau, "Amplificateurs distribués en TBH InP pour télécommunications optiques à 100 Gbit/s et au-delà "
  • Anne GHIS, CEA LETI, Grenoble, "Nanomembranes pour MEMS"
  • Guilhem LARRIEU, LAAS, Toulouse, "Transistors 3D à nanofils pour les applications nanoélectroniques"
  • Emmanuel LHUILLIER, INSP, Paris, "Optoélectronique des nanocristaux colloïdaux"
  • Alain MAESTRINI, LERMA, Paris, "Diodes Schottky pour l'exploration de l'univers à haute résolution spectrale"
  • Delphine MARRIS-MORINI, IEF, Orsay, "La photonique silicium pour les communications optiques haut débits"
  • Farid MEDJDOUB, IEMN, Lille, "Composants GaN pour les applications allant de la conversion DC/DC de forte puissance jusqu'au domaine THz"
  • Antoine MOREAU, Institut Pascal, Clermont-Ferrand, "Méta-surfaces et plasmonique"
  • Ségolène OLIVIER,CEA LETI, Grenoble, "Lasers hybrides III-V sur Silicium pour les prochaines générations de réseaux télécoms et datacoms"
  • Damien QUERLIOZ, IEF, Orsay , "Nouveaux composants mémoire: vers la mémoire intelligente"
  • Hans SIGG, PSI, Villigen, "Progress and Challenges towards efficient group IV based direct band gap lasing"
  • Bernhard URBASZEK, LPCNO, Toulouse, "Les Dichalcogénures de Métaux de Transition : Nouveaux semi-conducteurs bidimensionnels pour l’optoélectronique"

 

 

Table ronde " Télécommunications sans fils THz "

  • Pascal CHEVALIER, STMicroelectronics, France
  • Cédric DEHOS, CEA LETI, France
  • Michael DIEUDONNE : Keysight Labs, Belgique
  • Rachid DRIAD, Fraunhofer IAF, Freiburg, Allemagne
  • Guillaume DUCOURNAU, IEMN, France
  • Heinz MELLEIN, Rohde & Schwarz, Allemagne
  • Tadao NAGATSUMA, Université d’OSAKA, Japon

          La table ronde sera animée par Guillaume DUCOURNAU.

 

 

 

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